Хакер #305. Многошаговые SQL-инъекции
За последние несколько лет разные компании предложили несколько вариантов, чем заменить стандартную флэш-память типа NAND. Этот тип памяти имеет определённые ограничения по своей архитектуре, так что смена технологических поколений кажется неизбежной.
На этой неделе компания HGST (подразделение Western Digital) собирается показать своё решение проблемы. Они создали прототип SSD-накопителя, основанного на памяти с изменением фазы. По заявлению производителя, этот накопитель демонстрирует производительность 3 млн операций случайного чтения (по 512 байт) в секунду и задержку при чтении с произвольным доступом всего 1,5 микросекунды.
Для сравнения, у обычной флэш-памяти задержка при чтении с произвольным доступом составляет около 100 микросекунд, то есть новый тип памяти обещает ускорение примерно в 67 раз по сравнению с самыми быстрыми образцами существующей флэш-памяти!
Компания HGST опубликовала техническую документацию относительно того, каким образом нужно модернизировать шину PCI Express для поддержки нового типа памяти с высокоскоростным доступом. После такого апгрейда производительность шины должна увеличиться с 13 000 IOPS до 700 000 IOPS.
По плану HGST, первые прототипы нового типа памяти можно изготовить в 2016 году, а массовое производство начнётся примерно в 2019-2020 гг.
