На протяжении лет иерархия компьютерных устройств хранения информации была чётко определена. Самая быстрая память интегрирована в микросхему ЦПУ (кеш L1, L2, L3), затем на порядок более медленные модули ОЗУ, потом — жёсткие диски, ещё на несколько порядков более медленнее, чем ОЗУ. Или более скоростная альтернатива HDD — накопители SSD в том же форм-факторе.
Компания Sandisk задумала нарушить эту чёткую структуру. В прошлом году она объединила усилия с фирмой Diablo Technologies для создания гибридных модулей памяти SSD-DIMM, то есть флэш-памяти, которая вставляется в разъём для ОЗУ, получает доступ к быстрой шине передачи данных и сохраняет всю информацию в памяти при отключении питания. Преимущество ещё и в том, что можно подключать столько модулей SSD, сколько есть свободных разъёмов DIMM.
UlltraDIMM работает вместе с обычной памятью DDR3, в соседнем разъёме.
Продукт UlltraDIMM ещё не вышел на рынок, только отдельные экземпляры отправлены тестерам. Sandisk недавно опубликовала предварительные технические спецификации, а независимые тестеры выложили первые результаты тестирования производительности.
Результаты очень хорошие. UlltraDIMM действительно закрывает промежуток между быстрой ОЗУ и относительно медленными SSD, не говоря уже о HDD.
Эксперты предполагают, что такую память будут использовать в высокопроизводительных приложениях, как высокочастотный трейдинг и финансовые транзакции, дата-майнинг, СУБД, серверная виртуализация, виртуальные десктопы и т.д. А со временем, возможно, UlltraDIMM придёт в обычные «персоналки».
Предварительные спецификации
| Производительность | |
|---|---|
| Интерфейс | DDR3 |
| Задержка чтения | 150 наносекунд |
| Задержка записи | от 5 наносекунд |
| Случайное чтение (IOPS) | 140K IOPS (при передаче данных по 4 КБ) |
| Случайная запись (IOPS) | 44K IOPS (при передаче данных по 4 КБ) |
| Последовательное чтение (МБ/с) | до 880 МБ/с |
| Последовательная запись (МБ/с) | до 600 МБ/с |
| Объём | |
| 19nm eMLC | 200-400 ГБ, масштабируется в несколько разъёмов |
| Надёжность | |
| Надёжность данных (BER) | 1 неустранимая ошибка на 1017 прочитанных битов |
| MTBF**Среднее время между ошибками | 2,5 млн часов |
| DWPD | 10 DWPD (random) |
| Восстановление после ошибки данных | F.R.A.M.E.(Flexible Redundant Array of Memory Elements) |
| Восстановление после сбоя питания | EverGuard Technology: Backup Power Circuitry |
| Защита данных | DataGuard Technology |
| Гарантия | До 5 лет или максимально выработанный ресурс |
| Питание | |
| Vcc | 1,5 В |
| При активности | <12,5 Вт |
| В режиме ожидания | 9 Вт |
| Рабочая среда | |
| Ударостойкость | 200 г, 10 мс по каждой оси |
| Вибрация | 2,17 г RMS, 7-800 Гц |
| Рабочая температура | От 0 °C до 70 °C (внутренняя) |
| Температура хранения | От -40 °C до 90 °C |
| Влажность | От 5% до 95%, без образования конденсата |
| Высота | До 5486,4 м |
| Габариты | |
| Толщина | 8,5 мм |
| Ширина | 133,35 мм |
| Высота | 30 мм |
