На протяжении лет иерархия компьютерных устройств хранения информации была чётко определена. Самая быстрая память интегрирована в микросхему ЦПУ (кеш L1, L2, L3), затем на порядок более медленные модули ОЗУ, потом — жёсткие диски, ещё на несколько порядков более медленнее, чем ОЗУ. Или более скоростная альтернатива HDD — накопители SSD в том же форм-факторе.

Компания Sandisk задумала нарушить эту чёткую структуру. В прошлом году она объединила усилия с фирмой Diablo Technologies для создания гибридных модулей памяти SSD-DIMM, то есть флэш-памяти, которая вставляется в разъём для ОЗУ, получает доступ к быстрой шине передачи данных и сохраняет всю информацию в памяти при отключении питания. Преимущество ещё и в том, что можно подключать столько модулей SSD, сколько есть свободных разъёмов DIMM.

UlltraDIMM работает вместе с обычной памятью DDR3, в соседнем разъёме.

004

Продукт UlltraDIMM ещё не вышел на рынок, только отдельные экземпляры отправлены тестерам. Sandisk недавно опубликовала предварительные технические спецификации, а независимые тестеры выложили первые результаты тестирования производительности.

003

Результаты очень хорошие. UlltraDIMM действительно закрывает промежуток между быстрой ОЗУ и относительно медленными SSD, не говоря уже о HDD.

005

Эксперты предполагают, что такую память будут использовать в высокопроизводительных приложениях, как высокочастотный трейдинг и финансовые транзакции, дата-майнинг, СУБД, серверная виртуализация, виртуальные десктопы и т.д. А со временем, возможно, UlltraDIMM придёт в обычные «персоналки».

Предварительные спецификации

Производительность
Интерфейс DDR3
Задержка чтения 150 наносекунд
Задержка записи от 5 наносекунд
Случайное чтение (IOPS) 140K IOPS (при передаче данных по 4 КБ)
Случайная запись (IOPS) 44K IOPS (при передаче данных по 4 КБ)
Последовательное чтение (МБ/с) до 880 МБ/с
Последовательная запись (МБ/с) до 600 МБ/с
Объём
19nm eMLC 200-400 ГБ, масштабируется в несколько разъёмов
Надёжность
Надёжность данных (BER) 1 неустранимая ошибка на 1017 прочитанных битов
MTBF**Среднее время между ошибками 2,5 млн часов
DWPD 10 DWPD (random)
Восстановление после ошибки данных F.R.A.M.E.(Flexible Redundant Array of Memory Elements)
Восстановление после сбоя питания EverGuard Technology: Backup Power Circuitry
Защита данных DataGuard Technology
Гарантия До 5 лет или максимально выработанный ресурс
Питание
Vcc 1,5 В
При активности <12,5 Вт
В режиме ожидания 9 Вт
Рабочая среда
Ударостойкость 200 г, 10 мс по каждой оси
Вибрация 2,17 г RMS, 7-800 Гц
Рабочая температура От 0 °C до 70 °C (внутренняя)
Температура хранения От -40 °C до 90 °C
Влажность От 5% до 95%, без образования конденсата
Высота До 5486,4 м
Габариты
Толщина 8,5 мм
Ширина 133,35 мм
Высота 30 мм

Подписаться
Уведомить о
13 комментариев
Старые
Новые Популярные
Межтекстовые Отзывы
Посмотреть все комментарии