Американский стартап Crossbar в течение длительного времени вел секретные разработки, но 5 августа 2013 года вышел из «подполья» с громким пресс-релизом. По уверениям компании, она разработала новый тип памяти, способный заменить флэш-память (NAND) в разнообразных устройствах. КМОП-совместимая память под названием Crossbar Resistive RAM (RRAM) позволит вместить до 1 терабайта информации на микросхеме площадью 200 кв мм, то есть размером примерно 14х14 мм.
Скорость записи в память типа Crossbar Resistive RAM составит 140 мегабайт в секунду, скорость чтения — 17 МБ/с, а надежность будет в 10 раз лучше, чем у флэш-памяти. При этом RRAM еще и будет потреблять в 20 раз меньше энергии.
Интеграция с КМОП
Как объясняют разработчики, добиться таких невероятных показателей им удалось исключительно благодаря инновационному дизайну чипов, которые можно складывать в трехмерные стеки.
В этом смысле RRAM напоминает «трехмерную вертикальную флэш-память» 3D V-NAND, выпуск которой недавно начала компания Samsung. Правда, у корейцев на одну микросхему помещается всего 128 Гбит, да и скорость лишь вдвое лучше, чем у обычной NAND. Но зато эти микросхемы уже пошли в массовое производство.
Компания Crossbar предполагает, что первые прототипы RRAM появятся через 1-2 года. Фирма привлекла 25 миллионов долларов венчурных инвестиций и подала заявки на 100 патентов, из которых 30 уже получила.
