Хакер #305. Многошаговые SQL-инъекции
21 июля 2014 года Samsung начинает продажи новых SSD-накопителей для массового рынка, в которых впервые используются 32-слойные микросхемы флэш-памяти 3D V-NAND вместо традиционных MLC или TLC NAND. В модельный ряд SSD 850 Pro вошли накопители объёмом от 128 ГБ до 1 ТБ.
В микросхемах 3D V-NAND используются не только горизонтальные соединения между ячейками в одном слое, но и вертикальные соединения между слоями. Хотя это экспериментальная технология, но производитель, похоже, абсолютно уверен в качестве новых моделей. По крайней мере, на SSD 850 Pro дают 10-летнюю гарантию, а для накопителей заявлен рекордный рейтинг надёжности 150 ТБ на запись.
Более того, Samsung сейчас проводит лабораторное тестирование максимального времени работы на отказ. На SSD 850 Pro 128 ГБ записали уже более 8 петабайт (8192 терабайт), и он продолжает работать.
Возможно, увеличение надёжности связано с «оверхедом» ячеек NAND. В 32-слойной конфигурации ёмкость каждой микросхемы составляет 86 Гбит (10,75 ГБ). Поскольку 128 не делится на 10,75 без остатка, то должен быть неиспользуемый резерв.
Когда сообщалось о начале массового производства 3D V-NAND почти год назад, компания Samsung заявляла, что микросхемы новой компоновки увеличивают надёжность устройства в 2-10 раз, а также имеют лучшую производительность. Независимые тесты частично подтверждают это заявление. В некоторых из бенчмарков преимущество SSD 850 Pro выглядит подавляющим. Например, в тесте на время доступа к диску при чтении и записи, а также в синтетическом тесте CrystalDiskMark на скорость записи большого количества маленьких файлов (4K).
При этом результаты тестов значительно улучшаются при активации кэширования в режиме RAPID.
Samsung собирается в будущем существенно нарастить количество слоёв в чипах 3D V-NAND, которые изготовляются по 10-нанометровому техпроцессу.
