Samsung первым в мире начала массовое производство 8-гигабитных чипов оперативной памяти типа LPDDR4 (Low Power DDR4) для смартфонов и планшетов. Компания выведет на рынок модули 4 ГБ в начале 2015 года, а поставки модулей 2 ГБ и 3 ГБ уже начались.
Важнейшее изменение в LPDDR4, по сравнению с DDR3 — снижение напряжения питания до 1,1 В. Кроме того, сами чипы имеют меньший размер, то есть занимают меньше места на плате.
На основе новых чипов станет возможным выпуск сверхбыстрых модулей DRAM объёмом 4 гигабайта. Анонс этих микросхем состоялся ровно год назад: 30 декабря 2013 года, тогда же вышли первые опытные образцы, так что на пути от эксперимента до коммерческого производства пришлось преодолеть немало технических сложностей.
LPDDR4 обладает даже лучшими техническими характеристиками и более высокой скоростью, чем оперативная память в современных персональных компьютерах и серверах. К тому же, она потребляет меньше энергии. Всё это важно для нового поколения смартфонов и планшетов с экранами сверхвысокого разрешения и более быстрыми процессорами, ведь эта электронная начинка и так будет предъявлять повышенные требования к ёмкости аккумулятора. К счастью, технический прогресс позволяет удерживать среднее время работы от аккумулятора примерно на прежнем уровне.
Новые чипы LPDDR4 на 8 Гбит работают вдвое быстрее нынешних чипов LPDDR3 на 4 Гбита, хотя их делают по такому же 20-нанометровому техпроцессу. Скорость передачи данных при операциях I/O повышена до 3,2 Гбит/с, что примерно вдвое быстрее обычной DDR3 в персональных компьютерах. Готовые модули LPDDR4 смогут передавать до 35 ГБ/с (у DDR3 — 17 ГБ/с). Память позволит записывать видео UHD и снимать в непрерывном режиме кадры размером более 20 мегапикселей.
С напряжением питания 1,1 В микросхемы LPDDR4 — наиболее энергоэффективное решение для мобильных устройств топ-уровня. Так, 2-гигабайтный модуль LPDDR4 из чипов 8 Гб потребляет на 40% меньше энергии, чем 2-гигабайтный модуль LPDDR3 из чипов 4 Гб.
