Компании Intel и Micron анонсировали энергонезависимую память 3D Xpoint (читается как «кросс-поинт»), которую позиционируют, как первую на рынке память «нового типа» с 1989 года. Новые чипы в ближайшее время должны существенно ускорить работу всего, начиная от сотовых телефонов и заканчивая суперкомпьютерами.
При создании 3D Xpoint было решено отказаться от обычных транзисторов, которые используются в большинстве современной флеш-памяти. Вместо этого архитектура памяти выстроена в виде трехмерной шахматной доски, на которой ячейки памяти размещаются на пересечении числовых линий и разрядных линий. Адресация может производиться к каждой отдельной ячейке, индивидуально, что существенно повышает скорость чтения\записи, и в целом оптимизирует работу памяти. Так обыкновенная память NAND потребует перезаписи целого блока ячеек, когда на деле изменить нужно лишь одну.
Благодаря возможности адресации к каждой отдельной ячейке, чипы 3D Xpoint на три порядка (примерно в 1000 раз) быстрее памяти NAND. Кроме того, срок службы новой разработки в 1000 раз дольше, а плотность 3D Xpoint превосходит память DRAM в 10 раз.
Хотя Intel и Micron утверждают, что разработка будет полезна в промышленном секторе и пригодится компаниям, которые работают с большими объемами данных, простые пользователи и потребительский рынок тоже смогут ощутить преимущества 3D Xpoint. Производство новой резистивной памяти (ReRAM) стартует уже в текущем году, а продажи в начале 2016 года.
Фото: Intel
