Несколько десятилетий исследователи бьются над разработкой технологии «идеальной» памяти, которая совмещала бы в себе скорость и быстрое время доступа RAM, энергонезависимость магнитных дисков и низкую цену. Другими словами, исчезло бы разделение на ОЗУ и НЖМД.

Максимально близко к идеалу приблизилась NAND (флэш-память): она относительно быстрая и энергонезависимая, но не лишена своих недостатков, среди которых слишком малое количество циклов чтения-записи.

Разработчики из компании Everspin сделали следующий шаг в эволюции технологии и на прошлой неделе анонсировали начало продаж памяти нового типа MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory) — магниторезистивной оперативной памяти, основанной на проприетарной технологии переноса спинового момента, то есть записи в ячейке спина протекающих электронов. По скорости MRAM примерно в 500 раз быстрее NAND. На диаграмме показано время доступа к памяти разных типов (на логарифмической шкале, в наносекундах).

MRAM от компании Eberspin изготовляется в виде модулей формата DDR3 и работает на частоте DDR3-1600, передача данных происходит со скоростью 3,2 гигабайта в секунду. Первым в производство пойдёт модуль EMD3D064M 64Mb DDR3 ST-MRAM.

Конечно, чудес не бывает, и у MRAM имеются определённые недостатки. Эта память потребляет при работе в 5 раз больше энергии, а её стоимость примерно в 50 раз выше за гигабайт, чем у флэш-памяти. Да и объём памяти у первого модуля не слишком большой: всего 64 Мб, но это уже значительный прорыв по сравнению с предыдущим рекордом для магниторезистивной памяти, который составлял 8 Мб.

Несмотря на дороговизну, у подобной памяти большой потенциал, поскольку она обладает уникальными характеристиками, намного превосходя флэш-память по скорости и долговечности. Ну, а цена наверняка будет снижаться после начала массового производства.



Оставить мнение