Комапния Samsung первой в мире начала массовое производство модулей памяти LPDDR4 DRAM на 12 Гбит, используя 20-нанометровый техпроцесс. Новые чипы обладают в полтора раза большей плотностью ячеек памяти, чем нынешние 8-гигабитные чипы. Таким образом, производители наконец-то смогут производить смартфоны с объемом памяти больше, чем у стандартного ноутбука, а именно — шесть гигабайт, по четыре 12-гигабитных микросхемы в модуле DRAM.
Топовые смартфоны вроде Samsung Galaxy Edge 6+ сейчас ограничены максимальным объемом памяти в четыре гигабайта. Менее мощные iPhone 6 и iPhone 6 Plus управляются вовсе с 1 Гбайтом ОЗУ, а в последнем iPad Air — всего лишь 2 Гбайта.
У производителей теперь появляется выбор: или сделать апгрейд на новые модули с увеличением объема памяти до 6 Гбайт, или уменьшить количество микросхем с сохранением прежнего количества ОЗУ, но небольшим выигрышем по весу, габаритам и энергопотреблению. Скорее всего, многие производители пойдут по экстенсивному пути и просто увеличат количество памяти. Сейчас трудно найти приложение, которому реально необходимо столько памяти, но со временем такие наверняка появятся.
Samsung утверждает, что 12-гигабитные чипы также на 30% быстрее, чем старые. Пропускная способность каждого канала составляет 4266 Мбит/с, что означает 34 Гбита/с по 64-битной шине.
В операционной системе Android поддержка 64-битной архитектуры с объемом памяти более 3 Гбайт появилась с версии Android 5.0 Lollipop.
